台积电宣布成功制造功耗高达千万瓦的巨型芯片，性能飙升四十倍，这一创新技术的突破将极大提升芯片性能，有望推动计算机、人工智能等领域的飞速发展，台积电凭借其先进的制程技术和卓越的研发能力，再次展现了在全球半导体行业的领先地位，这一创新成果将为未来科技产品的性能提升和功耗优化提供强有力的支持。
新闻报道,台积电正在深入推进CoWoS封装技术，以应对日益庞大的高端计算芯片需求，该技术能够打造面积接近8000平方毫米、功耗达1000W级别的巨型芯片，性能更是惊人，可比标准处理器高出40倍。
台积电在CoWoS封装芯片的中介层面积方面已经取得了显著进展,最大可以做到2831平方毫米，这是目前台积电光罩尺寸极限的约3.3倍，NVIDIA B200、AMD MI300X等先进芯片均采用此封装技术，将大型计算模块和多个HBM内存芯片紧密整合在一起。
更值得一提的是,明年或稍晚些时候，台积电将推出下一代CoWoS-L封装技术，中介层面积将跃升至4719平方毫米，成为光罩极限的约5.5倍，同时需要10000平方毫米的大型基板，这一技术可以整合最多12颗HBM内存，包括下一代HBM4，台积电还计划将中介层面积进一步扩大至7885平方毫米，相当于光照极限的约9.5倍，需要18000平方毫米的基板，以封装更多计算芯片和HBM内存。
这些巨型芯片不仅体积庞大,而且会带来高功耗和高发热的挑战，为此，台积电计划在CoWoS-L封装内的RDL中介层上直接集成一整颗电源管理IC，以提高系统级供电效率，这颗电源管理IC将采用台积电N16工艺和TSV硅通孔技术制造，散热问题同样重要，直触式液冷、浸没式液冷等技术都将被考虑应用。
随着芯片尺寸的增大,现有的OAM形态标准已经无法满足需求，需要行业同步制定新的OAM形态标准以适应未来技术的发展。
台积电的巨型芯片技术令人瞩目,不仅体现了公司在半导体领域的领先地位，也展示了未来计算技术的无限可能，随着技术的不断进步，我们仍面临许多挑战，需要继续探索和创新。
